電子/半導體
FeRAM Ferro electric RAM。

隨著消費性與IA應用的出現,系統產品對於記憶體愈來愈要求小型化、高密度化、低價化與客製化,因此有愈來愈多追求不同市場區隔的新記憶體技術陸續推出,包含FeRAM(Ferro electric RAM)、MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)與OUM(Ovonics Unified Memory)等。

FeRAM其構造與DRAM相類似,但其強誘電體材料由於形成不易,因此,在大容量與低價化的障礙都比DRAM高,因此,FeRAM在目前的發展上並不以取代DRAM和Flash,由於FeRAM具有低讀寫電壓、較快的讀寫速度(<<100ns)及較少的製程步驟,可以取代目前最常用的EEPROMs(Electrical Erasable Programmable Read Only Memories)。Rohm、NEC、Toshiba、Fujitsu、Hitachi、Motorola/Matsushita、Infieneion、TI為未前主要生產研究產商。








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