電子/半導體
矽鍺 SiGe。Silicon Germanium。

矽鍺為矽半導體加鍺元素,在高頻環境下,較矽晶具有較佳的低雜訊及低功率損耗優點;相較於砷化鎵(GaAs),矽鍺有較優的高集積度、高電子傳導頻率,及製造良率較高的優勢;另外,矽鍺製程技術可與CMOS技術可相容並整合,也可整合FET與Bipolar。不過,SiGe其崩潰電壓(Breakdown Voltage)低(低於5V,一般的電子元件需要15V)。

就應用層面而言,SiGe可應用在Bluetooth、功率放大器、行動電話、RF IC、SoC或光纖骨幹網路SONET介面IC。








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