電子/半導體
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor。金屬氧化半導體場效電晶體。
是FET兩種主要形式之一。是在源極(Source)區與洩極(Drain)區的半導體基板表面覆蓋在一層薄薄的二氧化矽(SiO2)作為絕緣層,再把金屬沈積在氧化層上形成元件的閘極(Gate)而製成。MOSFET又可分為兩種:增強式(Enhancement)與空乏式(Depletion)。增強型(Enhancement,簡稱EMOS),是在MOSFET元件中增加通道載子,加強通道(洩極與源極之間的導通路徑)的傳導性。空乏型(Depletion,簡稱DMOS),則是在MOSFET元件中減少通道載子,降低通道的傳導性。







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