電子/半導體
MRAM Magnetic Random Access Memory。磁阻式隨機存取記憶體。

MRAM屬於非揮發性記憶體,是以磁電阻特性儲存記錄資訊,具有低耗能、非揮發、半永久特性。MRAM最終主要目標是在整合PC內部所有的記憶體,使未來SOC中只剩下CPU與MRAM。

MRAM運作的基本原理與在硬碟上存儲數據一樣,數據以磁性的方向為依據,存儲為 0或 1,所儲存的資料具有永久性,直到被外界的磁場影響之後,才會改變這個磁性數據。就讀取速度而言, MRAM為25∼100ns,與SRAM相近;在寫入次數上,MRAM與DRAM及SRAM一樣,都可寫入無限次的記憶;在耗電量上,MRAM較SRAM具有較低耗電的優點;在製程上,MRAM金屬底層是以CMOS Logic製程完成,比DRAM的製程技術簡單。MRAM的製程核心技術在於將電晶體往上層堆疊,且一個電晶體可以控制32 bits(DRAM一個電晶體只能控制1 bit),而不需要持續性縮小體積,就可做出高記憶體容量的產品。

目前投入MRAM研發的廠商包括Motorola、IBM、HP、Infineon、三星、Honeywell等,其中IBM與Infineon策略聯盟,而聯電與IBM有製程協定,規劃與聯邦半導體合作,取得MRAM領先技術。








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