電子/半導體
HBT 異質接面雙極電晶體。

用GaAs(砷化鉀)生產的微波元件結構的一種,是目前較新的技術。HBT的射極、基極、集極排列方式呈垂直排列,通道內的電子流呈垂直方向,由其結構上的優勢,造成甚高的功率密度。也就是,在同樣的輸出功率下,HBT的die size可以較小,再加上僅需單一電壓來源即可運作。

由於HBT具有線性效果佳及功率效益(power efficiency)好的特性,因而成為行動電話及個人通訊服務的關鍵性元件技術。








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