電子/光電
LED Light Emitting Diode。發光二極體。

LED為通電時可發光的電子元件,是半導體材料製成的發光元件,材料使用III-V族化學元素(如:磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)等),發光原理是將電能轉換為光,也就是對化合物半導體施加電流,透過電子與電洞的結合,過剩的能量會以光的形式釋出,達成發光的效果,屬於冷性發光,壽命長達十萬小時以上。LED最大的特點在於:無須暖燈時間(idling time)、反應速度很快(約在10^-9秒)、體積小、用電省、污染低、適合量產,具高可靠度,容易配合應用上的需要製成極小或陣列式的元件,適用範圍頗廣,如汽車、通訊產業、電腦、交通號誌、顯示器等。

LED又可以分成上、中、下游。從上游到下游,產品在外觀上差距相當大。上游是由磊晶片形成,這種磊晶片長相大概是一個直徑六到八公分寬的圓形,厚度相當薄,就像是一個平面金屬一樣。LED發光顏色與亮度由磊晶材料決定,且磊晶佔LED製造成本70%左右,對LED產業極為重要。上游磊晶製程順序為:單晶片(III-V族基板)、結構設計、結晶成長、材料特性/厚度測量。

中游廠商就是將這些晶片加以切割,形成為上萬個晶粒。依照晶片的大小,可以切割為二萬到四萬個晶粒。這些晶粒長得像沙灘上的沙子一樣,通常用特殊膠帶固定之後,再送到下游廠商作封裝處理。中游晶粒製程順序為:磊晶片、金屬膜蒸鍍、光罩、蝕刻、熱處理、切割、崩裂、測量。而,下游封裝順序為:晶粒、固晶、黏著、打線、樹脂封裝、長烤、鍍錫、剪腳、測試。

國內主要的LED生產廠商有:鼎元、光磊、國聯、億光等企業。








相關字
GaP
GaN
AlGaAs
AlInGaP
紅外線發光二極體