電子/半導體
金屬氧化半導體 Metal Oxide Semiconductor。MOS。

由金屬層,氧化層,及半導體層三層厚度不等的材質依順序堆疊所產生。MOS是利用在半導體的電場感應以夠控制電流大小的元件,本身是電容器。常用的MOS元件裡,矽是最主要的半導體層來源,也就是所謂的矽晶片本身;氧化層,以二氧化矽為取最常見的材料;金屬層,是利用氣相沉積方式製作出。

MOS又可依半導體材料又可區分為N型MOS及P型MOS,NMOS是使用電子來傳電流,PMOS是使用電洞來傳輸電流。








相關字
導體
靶材
Infineon
COB
矽鍺