電子/半導體
CMP Chemical Mechanical Polishing/Planarization。化學機械研磨法。

為半導體製程上主要的全面性平坦化技術。CMP是將晶圓放置在承載體(Carrier/Head)與表面鋪有拋光墊的旋轉工作台之間,延著一條輸送管,將會產生化學反應的化學助劑(reagent)不斷地噴出,在化學蝕刻與機械磨削兩者相互作用下,將晶片上凸出的沈積層,加以去除的一種平坦化技術。廣泛地應用在金屬膜及低介電質常數(Low-k)介電層的製程上。








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