電子/半導體
砷化鎵 GaAs。Gallium arsenide。

是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩定存在,並且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作磊晶片。

由於傳送訊號的射頻元件需要工作頻率高、低功率消耗、低雜訊等特色,而砷化鎵本身具有光電特性與高速,因此砷化鎵多用於光電元件和高頻通訊用元件。砷化鎵可應用在WLAN、WLL、光纖通訊、衛星通訊、LMDS、VSAT等微波通訊上。不過,砷化鎵材料成本較高,使用的製程設備也與一般IC業者常用的矽製程設備不同。








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