電子/半導體
SOI Silicon on Insulator。絕緣層上覆矽。
SOI 技術是由IBM研發成功,主要是在矽晶片下添增氧化物的絕緣層,避免電氣效應,以降低電源消耗,減少電流的流失,加快IC的處理速度。SOI技術可應用在需要較低電源消耗的設備上,如行動電話、手錶等,為了能充分發揮SOI高速作業的特點,目前也積極朝高頻率IC應用發展。







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