電子/光電
GaN LED 氮化鎵發光二極體。

GaN LED是屬於直接能隙之半導體材料, 其能隙為3.4ev, 而AlN為6.3ev, InN為2.0ev,將這幾種材料做成混晶時,可以將能隙從2.0ev連續改變到6.3ev,因此可以獲得從紫外線、紫光、藍光、綠光到黃光等範圍的顏色。

目前最成功的GaN元件有高亮度藍光及綠光LED,因GaN高亮度藍光、綠光LED的開發成功,使得戶外全彩LED顯示器及LED交通號誌得以實現,各種LED的應用也更加廣泛。 以高亮度藍光LED激發螢光物質(phospher)可以產生白光,其低耗電及高壽命的特性,未來有可能取代一般照明用的白熾燈泡,GaN LED的市場潛力十分雄厚。








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