電子/半導體
低溫二相磊晶成長法 
液相磊晶成長系統的磊晶層成長溫度,一般設定在攝氏800度,這是因為GaAs基板上氧化層三氧化二鎵需要經過攝氏650度以上的溫度處理後,才能分解去除。因此,當成長溫度設定在攝700度的時候,稱為低溫成長。







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