電子/半導體
MOCVD Metal organic chemical vapor deposition。有機金屬化學氣相磊晶法。

是經由氣流傳輸反應物到磊晶基板上,以氣閥控制氣流,藉由氣體管路系統的特殊設計,去除管路的暗空間,並降低成長速率,達到超結晶格子結構的成長需求。

MOCVD技術則有利於大量生產,但在控制厚度上卻較為不易;一般而言,MOCVD適合生產HBT(異質接面雙載電晶體)元件。目前採用MOCVD生產磊晶的地區主要集中在日本,其次是北美,產品主要應用在行動電話及衛星通訊上。








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