電子/半導體
MBE Molecular beam epitaxy。分子束磊晶法。

是以真空蒸鍍的方式進行磊晶,蒸發的分子以極高的熱速率,直線前進到磊晶基板之上,以快門阻隔的方式,控制蒸發分子束,獲得超陡介面。MBE的成長過程有反射高能量電子繞射振盪現象,使其具有在磊晶成長時監控磊晶層成長厚度的能力,其控制精確度,可以達到單原子層,因此可以輕易地成長超結晶格子結構。

MBE技術發展較早,在磊晶的過程中厚度的控制較為精確,但缺點是均勻度較難掌握;MBE技術大多用以生產pHEMT(假型高速電子場效電晶體)元件。目前採用MBE生產磊晶的的地區以北美為主,其次是日本,產品多集中在光纖通訊、衛星電視、GPS等應用上。








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