電子/半導體
donor killer donor annihilation。氧氣施體殺手。消除氧氣施體。
是指將矽晶錠或晶圓在攝氏650度後之溫度,經半小時到一個半小時的熱處理後,再經由攝氏450度溫度左右作急速冷卻時,即可去除氧氣施體之方法。







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