電子/半導體
氧氣施體 Oxygen donor。
以拉晶法育成的矽結晶,在結晶成長之後的冷卻中,通過攝氏450度溫度域附近,或以攝氏450度前後之熱處理,所產生起因於氧氣之施體。此一施體的授予將改變結晶的電阻率。







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